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IXTY1R6N50P

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IXTY1R6N50P

FabricanteIXYS Corporation
DescriçãoMOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK
CategoriaProdutos semicondutores discretos
Status sem chumbo / Status RoHSSem chumbo / acordo com RoHS
VGS (th) (Max) @ Id 5.5V @ 25µA
Vgs (Max) ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor TO-252, (D-Pak)
Série PolarHV™
RDS ON (Max) @ Id, VGS 6.5 Ohm @ 500mA, 10V
Dissipação de energia (Max) 43W (Tc)
Embalagem Tube
Caixa / Gabinete TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 140pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 3.9nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica FET -
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 500V
Descrição detalhada N-Channel 500V 1.6A (Tc) 43W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 1.6A (Tc)

IXT(P,Y)1R6N50P

RFQ

Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível:19518
  • 70 pcs$1.215

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