IXTY1R6N50P
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IXTY1R6N50P
| Fabricante | IXYS Corporation |
|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK |
| Categoría | Productos semiconductores discretos |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| VGS (th) (Max) @Id | 5.5V @ 25µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | TO-252, (D-Pak) |
| Serie | PolarHV™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 6.5 Ohm @ 500mA, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 43W (Tc) |
| embalaje | Tube |
| Paquete / Cubierta | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 140pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 3.9nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 500V |
| Descripción detallada | N-Channel 500V 1.6A (Tc) 43W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak) |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 1.6A (Tc) |
| RFQ | |
Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)
- 70 pcs$1.215
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