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IXTY1R6N50P

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IXTY1R6N50P

HerstellerIXYS Corporation
BeschreibungMOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK
KategorieDiskrete Halbleiter-Produkte
Bleifreier Status / RoHS StatusBleifrei / RoHS-konform
VGS (th) (Max) @ Id 5.5V @ 25µA
Vgs (Max) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse TO-252, (D-Pak)
Serie PolarHV™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5 Ohm @ 500mA, 10V
Verlustleistung (max) 43W (Tc)
Verpackung Tube
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 140pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.9nC @ 10V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500V
detaillierte Beschreibung N-Channel 500V 1.6A (Tc) 43W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.6A (Tc)

IXT(P,Y)1R6N50P

RFQ

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig:19518
  • 70 pcs$1.215

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Einführung von IXTY1R6N50P

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