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IXTY1R6N50P

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IXTY1R6N50P

fabbricanteIXYS Corporation
DescrizioneMOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK
CategoriaProdotti a semiconduttore discreti
Stato Lead senza piombo / RoHSSenza piombo / RoHS conforme
Vgs (th) (max) a Id 5.5V @ 25µA
Vgs (Max) ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-252, (D-Pak)
Serie PolarHV™
Rds On (max) a Id, Vgs 6.5 Ohm @ 500mA, 10V
Dissipazione di potenza (max) 43W (Tc)
imballaggio Tube
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 140pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 3.9nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 500V
Descrizione dettagliata N-Channel 500V 1.6A (Tc) 43W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.6A (Tc)

IXT(P,Y)1R6N50P

RFQ

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

In magazzino:19518
  • 70 pcs$1.215

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