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IXTY1R6N50P

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IXTY1R6N50P

FabricantIXYS Corporation
La descriptionMOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK
CatégorieProduits semi-conducteurs discrets
État sans plomb / État RoHSSans plomb / conforme à la directive RoHS
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 25µA
Vgs (Max) ±30V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-252, (D-Pak)
Séries PolarHV™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5 Ohm @ 500mA, 10V
Dissipation de puissance (max) 43W (Tc)
Emballage Tube
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 140pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 3.9nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 500V
Description détaillée N-Channel 500V 1.6A (Tc) 43W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.6A (Tc)

IXT(P,Y)1R6N50P

RFQ

Prix de référence (en dollars américains)

En stock:19518
  • 70 pcs$1.215

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