SIE822DF-T1-E3
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SIE822DF-T1-E3
| Fabricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|
| Descrição | MOSFET N-CH 20V 50A 10-POLARPAK |
| Categoria | Produtos semicondutores discretos |
| Status sem chumbo / Status RoHS | Sem chumbo / acordo com RoHS |
| VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | 10-PolarPAK® (S) |
| Série | TrenchFET® |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS | 3.4 mOhm @ 18.3A, 10V |
| Dissipação de energia (Max) | 5.2W (Ta), 104W (Tc) |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete | 10-PolarPAK® (S) |
| Outros nomes | SIE822DF-T1-E3TR |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4200pF @ 10V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 78nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Característica FET | - |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 4.5V, 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 20V |
| Descrição detalhada | N-Channel 20V 50A (Tc) 5.2W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (S) |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
| RFQ | |
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