SIE822DF-T1-E3
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SIE822DF-T1-E3
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 20V 50A 10-POLARPAK |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Vgs (th) (max) a Id | 3V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 10-PolarPAK® (S) |
| Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 3.4 mOhm @ 18.3A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 5.2W (Ta), 104W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | 10-PolarPAK® (S) |
| Altri nomi | SIE822DF-T1-E3TR |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4200pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 78nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 20V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 20V 50A (Tc) 5.2W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (S) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
| RFQ | |
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