SIE822DF-T1-E3
SIE822DF-T1-E3
Fabricant | Electro-Films (EFI) / Vishay |
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La description | MOSFET N-CH 20V 50A 10-POLARPAK |
Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | 10-PolarPAK® (S) |
Séries | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4 mOhm @ 18.3A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 5.2W (Ta), 104W (Tc) |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | 10-PolarPAK® (S) |
Autres noms | SIE822DF-T1-E3TR |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4200pF @ 10V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 78nC @ 10V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 20V |
Description détaillée | N-Channel 20V 50A (Tc) 5.2W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (S) |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 50A (Tc) |
RFQ |
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