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SIE822DF-T1-E3

SIE822DF-T1-E3
Electro-Films (EFI) / Vishay

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SIE822DF-T1-E3

メーカーElectro-Films (EFI) / Vishay
説明MOSFET N-CH 20V 50A 10-POLARPAK
プロダクトディスクリート半導体製品
フリーステータス/ RoHS状態鉛フリー/ RoHS準拠
同上@ VGS（TH）（最大） 3V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 10-PolarPAK® (S)
シリーズ TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 3.4 mOhm @ 18.3A, 10V
電力消費（最大） 5.2W (Ta), 104W (Tc)
パッケージング Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース 10-PolarPAK® (S)
他の名前 SIE822DF-T1-E3TR
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル（MSL） 1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 4200pF @ 10V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 78nC @ 10V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 20V
詳細な説明 N-Channel 20V 50A (Tc) 5.2W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (S)
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 50A (Tc)

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