SIE822DF-T1-E3
SIE822DF-T1-E3
Hersteller | Electro-Films (EFI) / Vishay |
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Beschreibung | MOSFET N-CH 20V 50A 10-POLARPAK |
Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 10-PolarPAK® (S) |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4 mOhm @ 18.3A, 10V |
Verlustleistung (max) | 5.2W (Ta), 104W (Tc) |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | 10-PolarPAK® (S) |
Andere Namen | SIE822DF-T1-E3TR |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4200pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 78nC @ 10V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
detaillierte Beschreibung | N-Channel 20V 50A (Tc) 5.2W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (S) |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 50A (Tc) |
RFQ |
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