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SI1305DL-T1-E3

SI1305DL-T1-E3
Electro-Films (EFI) / Vishay

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SI1305DL-T1-E3

FabricanteElectro-Films (EFI) / Vishay
DescriçãoMOSFET P-CH 8V 0.86A SOT323-3
CategoriaProdutos semicondutores discretos
Status sem chumbo / Status RoHSSem chumbo / acordo com RoHS
VGS (th) (Max) @ Id 450mV @ 250µA (Min)
Vgs (Max) ±8V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor SC-70-3
Série TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS 280 mOhm @ 1A, 4.5V
Dissipação de energia (Max) 290mW (Ta)
Embalagem Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete SC-70, SOT-323
Outros nomes SI1305DL-T1-E3TR
SI1305DLT1E3
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 4.5V
Tipo FET P-Channel
Característica FET -
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 1.8V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 8V
Descrição detalhada P-Channel 8V 860mA (Ta) 290mW (Ta) Surface Mount SC-70-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 860mA (Ta)

SI1305DL

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