SI1305DL-T1-E3
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SI1305DL-T1-E3
| 제조사 | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|
| 기술 | MOSFET P-CH 8V 0.86A SOT323-3 |
| 범주 | 이산 반도체 제품 |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 450mV @ 250µA (Min) |
| Vgs (최대) | ±8V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지 | SC-70-3 |
| 연속 | TrenchFET® |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 280 mOhm @ 1A, 4.5V |
| 전력 소비 (최대) | 290mW (Ta) |
| 포장 | Tape & Reel (TR) |
| 패키지 / 케이스 | SC-70, SOT-323 |
| 다른 이름들 | SI1305DL-T1-E3TR SI1305DLT1E3 |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 4nC @ 4.5V |
| FET 유형 | P-Channel |
| FET 특징 | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 8V |
| 상세 설명 | P-Channel 8V 860mA (Ta) 290mW (Ta) Surface Mount SC-70-3 |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 860mA (Ta) |
| RFQ | |
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