SI1305DL-T1-E3
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SI1305DL-T1-E3
| Fabricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|
| Descripción | MOSFET P-CH 8V 0.86A SOT323-3 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| VGS (th) (Max) @Id | 450mV @ 250µA (Min) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | SC-70-3 |
| Serie | TrenchFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 280 mOhm @ 1A, 4.5V |
| La disipación de energía (máximo) | 290mW (Ta) |
| embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | SC-70, SOT-323 |
| Otros nombres | SI1305DL-T1-E3TR SI1305DLT1E3 |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 4nC @ 4.5V |
| Tipo FET | P-Channel |
| Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 8V |
| Descripción detallada | P-Channel 8V 860mA (Ta) 290mW (Ta) Surface Mount SC-70-3 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 860mA (Ta) |
| RFQ | |
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