SI1305DL-T1-E3
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SI1305DL-T1-E3
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|
| Descrizione | MOSFET P-CH 8V 0.86A SOT323-3 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Vgs (th) (max) a Id | 450mV @ 250µA (Min) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | SC-70-3 |
| Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 280 mOhm @ 1A, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max) | 290mW (Ta) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | SC-70, SOT-323 |
| Altri nomi | SI1305DL-T1-E3TR SI1305DLT1E3 |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 4.5V |
| Tipo FET | P-Channel |
| Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 8V |
| Descrizione dettagliata | P-Channel 8V 860mA (Ta) 290mW (Ta) Surface Mount SC-70-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 860mA (Ta) |
| RFQ | |
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