SI1305DL-T1-E3
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SI1305DL-T1-E3
| Hersteller | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|
| Beschreibung | MOSFET P-CH 8V 0.86A SOT323-3 |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| VGS (th) (Max) @ Id | 450mV @ 250µA (Min) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | SC-70-3 |
| Serie | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280 mOhm @ 1A, 4.5V |
| Verlustleistung (max) | 290mW (Ta) |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | SC-70, SOT-323 |
| Andere Namen | SI1305DL-T1-E3TR SI1305DLT1E3 |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 4.5V |
| Typ FET | P-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 8V |
| detaillierte Beschreibung | P-Channel 8V 860mA (Ta) 290mW (Ta) Surface Mount SC-70-3 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 860mA (Ta) |
| RFQ | |
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BildArtikelnummerHerstellerBeschreibungAussicht -
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Einführung von SI1305DL-T1-E3
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