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NTMFS4C35NT1G

NTMFS4C35NT1G
AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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NTMFS4C35NT1G

FabricanteAMI Semiconductor / ON Semiconductor
DescriçãoMOSFET N-CH 30V 80A SO8FL
CategoriaProdutos semicondutores discretos
Status sem chumbo / Status RoHSSem chumbo / acordo com RoHS
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Série -
RDS ON (Max) @ Id, VGS 3.2 mOhm @ 30A, 10V
Dissipação de energia (Max) 780mW (Ta), 33W (Tc)
Embalagem Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete 8-PowerTDFN
Outros nomes NTMFS4C35NT1G-ND
NTMFS4C35NT1GOSTR
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 42 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2300pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 4.5V
Tipo FET N-Channel
Característica FET -
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 30V
Descrição detalhada N-Channel 30V 12.4A (Ta) 780mW (Ta), 33W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 12.4A (Ta)

NTMFS4C35N

RFQ

Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível:1140
  • 1 pcs$0.495
  • 200 pcs$0.191
  • 500 pcs$0.185
  • 1500 pcs$0.182

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