NTMFS4C35NT1G
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NTMFS4C35NT1G
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 80A SO8FL |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Vgs (th) (max) a Id | 2.2V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 3.2 mOhm @ 30A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 780mW (Ta), 33W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | 8-PowerTDFN |
| Altri nomi | NTMFS4C35NT1G-ND NTMFS4C35NT1GOSTR |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 42 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2300pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 4.5V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 30V 12.4A (Ta) 780mW (Ta), 33W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 12.4A (Ta) |
| RFQ | |
Prezzo di riferimento (in dollari USA)
- 1 pcs$0.495
- 200 pcs$0.191
- 500 pcs$0.185
- 1500 pcs$0.182
I prezzi di cui sopra sono esclusivi delle tasse e delle spese di spedizione. Il prezzo esatto è soggetto all'offerta finale
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