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NTMFS4C35NT1G

NTMFS4C35NT1G
AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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NTMFS4C35NT1G

제조사AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술MOSFET N-CH 30V 80A SO8FL
범주이산 반도체 제품
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
아이디 @ VGS (일) (최대) 2.2V @ 250µA
Vgs (최대) ±20V
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
연속 -
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 3.2 mOhm @ 30A, 10V
전력 소비 (최대) 780mW (Ta), 33W (Tc)
포장 Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스 8-PowerTDFN
다른 이름들 NTMFS4C35NT1G-ND
NTMFS4C35NT1GOSTR
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임 42 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2300pF @ 15V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 15nC @ 4.5V
FET 유형 N-Channel
FET 특징 -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss) 30V
상세 설명 N-Channel 30V 12.4A (Ta) 780mW (Ta), 33W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 12.4A (Ta)

NTMFS4C35N

RFQ

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품:1140
  • 1 pcs$0.495
  • 200 pcs$0.191
  • 500 pcs$0.185
  • 1500 pcs$0.182

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