NTMFS4C35NT1G
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NTMFS4C35NT1G
| Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 30V 80A SO8FL |
| Categoría | Productos semiconductores discretos |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| VGS (th) (Max) @Id | 2.2V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 3.2 mOhm @ 30A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 780mW (Ta), 33W (Tc) |
| embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | 8-PowerTDFN |
| Otros nombres | NTMFS4C35NT1G-ND NTMFS4C35NT1GOSTR |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 42 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2300pF @ 15V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 15nC @ 4.5V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V |
| Descripción detallada | N-Channel 30V 12.4A (Ta) 780mW (Ta), 33W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 12.4A (Ta) |
| RFQ | |
Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)
- 1 pcs$0.495
- 200 pcs$0.191
- 500 pcs$0.185
- 1500 pcs$0.182
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Introducción de NTMFS4C35NT1G
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