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NTMFS4C35NT1G

NTMFS4C35NT1G
AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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NTMFS4C35NT1G

メーカーAMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明MOSFET N-CH 30V 80A SO8FL
プロダクトディスクリート半導体製品
フリーステータス/ RoHS状態鉛フリー/ RoHS準拠
同上@ VGS（TH）（最大） 2.2V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 3.2 mOhm @ 30A, 10V
電力消費（最大） 780mW (Ta), 33W (Tc)
パッケージング Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
他の名前 NTMFS4C35NT1G-ND
NTMFS4C35NT1GOSTR
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル（MSL） 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 42 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 2300pF @ 15V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 15nC @ 4.5V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 30V
詳細な説明 N-Channel 30V 12.4A (Ta) 780mW (Ta), 33W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 12.4A (Ta)

NTMFS4C35N

RFQ

参考価格（USD）

在庫あり:1140
  • 1 pcs$0.495
  • 200 pcs$0.191
  • 500 pcs$0.185
  • 1500 pcs$0.182

上記の価格には税金と貨物は含まれておらず、特定の価格は最終オファーの対象となります。

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