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FDD7N60NZTM

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FDD7N60NZTM

FabricanteAMI Semiconductor / ON Semiconductor
DescriçãoMOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK-3
CategoriaProdutos semicondutores discretos
Status sem chumbo / Status RoHSSem chumbo / acordo com RoHS
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor D-Pak
Série UniFET-II™
RDS ON (Max) @ Id, VGS 1.25 Ohm @ 2.75A, 10V
Dissipação de energia (Max) 90W (Tc)
Embalagem Original-Reel®
Caixa / Gabinete TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes FDD7N60NZTMDKR
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 23 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 730pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica FET -
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 600V
Descrição detalhada N-Channel 600V 5.5A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount D-Pak
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 5.5A (Tc)

FDD7N60NZ, FDU7N60NZTU

RFQ

Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível:24773
  • 1 pcs$1.499
  • 10 pcs$1.304
  • 30 pcs$1.184
  • 100 pcs$1.059
  • 500 pcs$0.949
  • 1000 pcs$0.924

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