FDD7N60NZTM
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FDD7N60NZTM
Hersteller | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
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Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK-3 |
Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±25V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | D-Pak |
Serie | UniFET-II™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.25 Ohm @ 2.75A, 10V |
Verlustleistung (max) | 90W (Tc) |
Verpackung | Original-Reel® |
Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Andere Namen | FDD7N60NZTMDKR |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 23 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 730pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
detaillierte Beschreibung | N-Channel 600V 5.5A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount D-Pak |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 5.5A (Tc) |
RFQ |
Referenzpreis (in US-Dollar)
- 1 pcs$1.499
- 10 pcs$1.304
- 30 pcs$1.184
- 100 pcs$1.059
- 500 pcs$0.949
- 1000 pcs$0.924
Die oben genannten Preise sind ausschließlich Steuern und Versandkosten. Der genaue Preis unterliegt dem endgültigen Angebot
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Einführung von FDD7N60NZTM
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