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FDD7N60NZTM

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FDD7N60NZTM

HerstellerAMI Semiconductor / ON Semiconductor
BeschreibungMOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK-3
KategorieDiskrete Halbleiter-Produkte
Bleifreier Status / RoHS StatusBleifrei / RoHS-konform
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse D-Pak
Serie UniFET-II™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.25 Ohm @ 2.75A, 10V
Verlustleistung (max) 90W (Tc)
Verpackung Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen FDD7N60NZTMDKR
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 23 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 730pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600V
detaillierte Beschreibung N-Channel 600V 5.5A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount D-Pak
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.5A (Tc)

FDD7N60NZ, FDU7N60NZTU

RFQ

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig:24773
  • 1 pcs$1.499
  • 10 pcs$1.304
  • 30 pcs$1.184
  • 100 pcs$1.059
  • 500 pcs$0.949
  • 1000 pcs$0.924

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Einführung von FDD7N60NZTM

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