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FDD7N60NZTM

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FDD7N60NZTM

メーカーAMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明MOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK-3
プロダクトディスクリート半導体製品
フリーステータス/ RoHS状態鉛フリー/ RoHS準拠
同上@ VGS(TH)(最大) 5V @ 250µA
Vgs(最大) ±25V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ D-Pak
シリーズ UniFET-II™
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 1.25 Ohm @ 2.75A, 10V
電力消費(最大) 90W (Tc)
パッケージング Original-Reel®
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
他の名前 FDD7N60NZTMDKR
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 23 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 730pF @ 25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 17nC @ 10V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 600V
詳細な説明 N-Channel 600V 5.5A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount D-Pak
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 5.5A (Tc)

FDD7N60NZ, FDU7N60NZTU

RFQ

参考価格(USD)

在庫あり:24773
  • 1 pcs$1.499
  • 10 pcs$1.304
  • 30 pcs$1.184
  • 100 pcs$1.059
  • 500 pcs$0.949
  • 1000 pcs$0.924

上記の価格には税金と貨物は含まれておらず、特定の価格は最終オファーの対象となります。

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