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FDD7N60NZTM

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FDD7N60NZTM

FabricanteAMI Semiconductor / ON Semiconductor
DescripciónMOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK-3
CategoríaProductos semiconductores discretos
Estado Libre de plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
VGS (th) (Max) @Id 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo D-Pak
Serie UniFET-II™
RDS (Max) @Id, Vgs 1.25 Ohm @ 2.75A, 10V
La disipación de energía (máximo) 90W (Tc)
embalaje Original-Reel®
Paquete / Cubierta TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres FDD7N60NZTMDKR
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 23 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 730pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 17nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica de FET -
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 600V
Descripción detallada N-Channel 600V 5.5A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount D-Pak
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 5.5A (Tc)

FDD7N60NZ, FDU7N60NZTU

RFQ

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Existencias disponibles:24773
  • 1 pcs$1.499
  • 10 pcs$1.304
  • 30 pcs$1.184
  • 100 pcs$1.059
  • 500 pcs$0.949
  • 1000 pcs$0.924

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