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FDD7N60NZTM

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FDD7N60NZTM

fabbricanteAMI Semiconductor / ON Semiconductor
DescrizioneMOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK-3
CategoriaProdotti a semiconduttore discreti
Stato Lead senza piombo / RoHSSenza piombo / RoHS conforme
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore D-Pak
Serie UniFET-II™
Rds On (max) a Id, Vgs 1.25 Ohm @ 2.75A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 90W (Tc)
imballaggio Original-Reel®
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi FDD7N60NZTMDKR
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 23 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 730pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 600V
Descrizione dettagliata N-Channel 600V 5.5A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount D-Pak
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.5A (Tc)

FDD7N60NZ, FDU7N60NZTU

RFQ

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

In magazzino:24773
  • 1 pcs$1.499
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