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BS170-D27Z

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BS170-D27Z

FabricanteAMI Semiconductor / ON Semiconductor
DescriçãoMOSFET N-CH 60V 500MA TO-92
CategoriaProdutos semicondutores discretos
Status sem chumbo / Status RoHSSem chumbo / acordo com RoHS
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor TO-92-3
Série -
RDS ON (Max) @ Id, VGS 5 Ohm @ 200mA, 10V
Dissipação de energia (Max) 830mW (Ta)
Embalagem Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Outros nomes BS170-D27ZTR
BS170_D27Z
BS170_D27Z-ND
BS170_D27ZTR
BS170_D27ZTR-ND
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 6 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 40pF @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica FET -
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 60V
Descrição detalhada N-Channel 60V 500mA (Ta) 830mW (Ta) Through Hole TO-92-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 500mA (Ta)
Número da peça base BS170

BS170, MMBF170

RFQ

Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível:5645
  • 5 pcs$0.295
  • 50 pcs$0.239
  • 150 pcs$0.215
  • 500 pcs$0.185
  • 2000 pcs$0.171
  • 4000 pcs$0.163

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