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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > BS170-D27Z

BS170-D27Z

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BS170-D27Z

FabricantAMI Semiconductor / ON Semiconductor
La descriptionMOSFET N-CH 60V 500MA TO-92
CatégorieProduits semi-conducteurs discrets
État sans plomb / État RoHSSans plomb / conforme à la directive RoHS
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA
Vgs (Max) ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-92-3
Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5 Ohm @ 200mA, 10V
Dissipation de puissance (max) 830mW (Ta)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Autres noms BS170-D27ZTR
BS170_D27Z
BS170_D27Z-ND
BS170_D27ZTR
BS170_D27ZTR-ND
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 6 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 40pF @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 60V
Description détaillée N-Channel 60V 500mA (Ta) 830mW (Ta) Through Hole TO-92-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 500mA (Ta)
Numéro de pièce de base BS170

BS170, MMBF170

RFQ

Prix de référence (en dollars américains)

En stock:5645
  • 5 pcs$0.295
  • 50 pcs$0.239
  • 150 pcs$0.215
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