BS170-D27Z
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BS170-D27Z
| Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| VGS (th) (Max) @Id | 3V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | TO-92-3 |
| Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 5 Ohm @ 200mA, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 830mW (Ta) |
| embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Otros nombres | BS170-D27ZTR BS170_D27Z BS170_D27Z-ND BS170_D27ZTR BS170_D27ZTR-ND |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 6 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 40pF @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 60V |
| Descripción detallada | N-Channel 60V 500mA (Ta) 830mW (Ta) Through Hole TO-92-3 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 500mA (Ta) |
| Número de pieza base | BS170 |
| RFQ | |
Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)
- 5 pcs$0.295
- 50 pcs$0.239
- 150 pcs$0.215
- 500 pcs$0.185
- 2000 pcs$0.171
- 4000 pcs$0.163
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