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BS170-D27Z

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BS170-D27Z

HerstellerAMI Semiconductor / ON Semiconductor
BeschreibungMOSFET N-CH 60V 500MA TO-92
KategorieDiskrete Halbleiter-Produkte
Bleifreier Status / RoHS StatusBleifrei / RoHS-konform
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA
Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse TO-92-3
Serie -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5 Ohm @ 200mA, 10V
Verlustleistung (max) 830mW (Ta)
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Andere Namen BS170-D27ZTR
BS170_D27Z
BS170_D27Z-ND
BS170_D27ZTR
BS170_D27ZTR-ND
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 6 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 40pF @ 10V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V
detaillierte Beschreibung N-Channel 60V 500mA (Ta) 830mW (Ta) Through Hole TO-92-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 500mA (Ta)
Basisteilenummer BS170

BS170, MMBF170

RFQ

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig:5645
  • 5 pcs$0.295
  • 50 pcs$0.239
  • 150 pcs$0.215
  • 500 pcs$0.185
  • 2000 pcs$0.171
  • 4000 pcs$0.163

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Einführung von BS170-D27Z

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