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BS170-D27Z

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BS170-D27Z

fabbricanteAMI Semiconductor / ON Semiconductor
DescrizioneMOSFET N-CH 60V 500MA TO-92
CategoriaProdotti a semiconduttore discreti
Stato Lead senza piombo / RoHSSenza piombo / RoHS conforme
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 1mA
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-92-3
Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 5 Ohm @ 200mA, 10V
Dissipazione di potenza (max) 830mW (Ta)
imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Altri nomi BS170-D27ZTR
BS170_D27Z
BS170_D27Z-ND
BS170_D27ZTR
BS170_D27ZTR-ND
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 6 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 40pF @ 10V
Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 60V
Descrizione dettagliata N-Channel 60V 500mA (Ta) 830mW (Ta) Through Hole TO-92-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 500mA (Ta)
Numero di parte base BS170

BS170, MMBF170

RFQ

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

In magazzino:5645
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