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SI1903DL-T1-GE3

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SI1903DL-T1-GE3

제조사Electro-Films (EFI) / Vishay
기술MOSFET 2P-CH 20V 0.41A SC70-6
범주이산 반도체 제품
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
아이디 @ VGS (일) (최대) 1.5V @ 250µA
제조업체 장치 패키지 SC-70-6 (SOT-363)
연속 TrenchFET®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 995 mOhm @ 410mA, 4.5V
전력 - 최대 270mW
포장 Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
다른 이름들 SI1903DL-T1-GE3TR
SI1903DLT1GE3
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds -
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 1.8nC @ 4.5V
FET 유형 2 P-Channel (Dual)
FET 특징 Logic Level Gate
소스 전압에 드레인 (Vdss) 20V
상세 설명 Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 410mA 270mW Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 410mA
기본 부품 번호 SI1903

SI1903DL

RFQ

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품:5064
  • 5 pcs$0.224
  • 50 pcs$0.184
  • 150 pcs$0.167
  • 500 pcs$0.146
  • 3000 pcs$0.121
  • 6000 pcs$0.116

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