SI1903DL-T1-GE3
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SI1903DL-T1-GE3
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2P-CH 20V 0.41A SC70-6 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Vgs (th) (max) a Id | 1.5V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | SC-70-6 (SOT-363) |
| Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 995 mOhm @ 410mA, 4.5V |
| Potenza - Max | 270mW |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Altri nomi | SI1903DL-T1-GE3TR SI1903DLT1GE3 |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 1.8nC @ 4.5V |
| Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Tensione drain-source (Vdss) | 20V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 410mA 270mW Surface Mount SC-70-6 (SOT-363) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 410mA |
| Numero di parte base | SI1903 |
| RFQ | |
Prezzo di riferimento (in dollari USA)
- 5 pcs$0.224
- 50 pcs$0.184
- 150 pcs$0.167
- 500 pcs$0.146
- 3000 pcs$0.121
- 6000 pcs$0.116
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- Electro-Films (EFI) / Vishay SI1903DL-T1-GE3
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