SI1903DL-T1-GE3
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SI1903DL-T1-GE3
| Fabricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|
| Descripción | MOSFET 2P-CH 20V 0.41A SC70-6 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| VGS (th) (Max) @Id | 1.5V @ 250µA |
| Paquete del dispositivo | SC-70-6 (SOT-363) |
| Serie | TrenchFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 995 mOhm @ 410mA, 4.5V |
| Potencia - Max | 270mW |
| embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Otros nombres | SI1903DL-T1-GE3TR SI1903DLT1GE3 |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 1.8nC @ 4.5V |
| Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
| Característica de FET | Logic Level Gate |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 20V |
| Descripción detallada | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 410mA 270mW Surface Mount SC-70-6 (SOT-363) |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 410mA |
| Número de pieza base | SI1903 |
| RFQ | |
Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)
- 5 pcs$0.224
- 50 pcs$0.184
- 150 pcs$0.167
- 500 pcs$0.146
- 3000 pcs$0.121
- 6000 pcs$0.116
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Introducción de SI1903DL-T1-GE3
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