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SI1903DL-T1-GE3

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SI1903DL-T1-GE3

FabricantElectro-Films (EFI) / Vishay
La descriptionMOSFET 2P-CH 20V 0.41A SC70-6
CatégorieProduits semi-conducteurs discrets
État sans plomb / État RoHSSans plomb / conforme à la directive RoHS
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Package composant fournisseur SC-70-6 (SOT-363)
Séries TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 995 mOhm @ 410mA, 4.5V
Puissance - Max 270mW
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Autres noms SI1903DL-T1-GE3TR
SI1903DLT1GE3
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 1.8nC @ 4.5V
type de FET 2 P-Channel (Dual)
Fonction FET Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss) 20V
Description détaillée Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 410mA 270mW Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 410mA
Numéro de pièce de base SI1903

SI1903DL

RFQ

Prix de référence (en dollars américains)

En stock:5064
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