SI1903DL-T1-GE3
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SI1903DL-T1-GE3
| Hersteller | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|
| Beschreibung | MOSFET 2P-CH 20V 0.41A SC70-6 |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| VGS (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Supplier Device-Gehäuse | SC-70-6 (SOT-363) |
| Serie | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 995 mOhm @ 410mA, 4.5V |
| Leistung - max | 270mW |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Andere Namen | SI1903DL-T1-GE3TR SI1903DLT1GE3 |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.8nC @ 4.5V |
| Typ FET | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Merkmal | Logic Level Gate |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| detaillierte Beschreibung | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 410mA 270mW Surface Mount SC-70-6 (SOT-363) |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 410mA |
| Basisteilenummer | SI1903 |
| RFQ | |
Referenzpreis (in US-Dollar)
- 5 pcs$0.224
- 50 pcs$0.184
- 150 pcs$0.167
- 500 pcs$0.146
- 3000 pcs$0.121
- 6000 pcs$0.116
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Einführung von SI1903DL-T1-GE3
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