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> 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-fet, 모스 펫-싱글 > NVATS5A106PLZT4G

NVATS5A106PLZT4G

NVATS5A106PLZT4G
AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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NVATS5A106PLZT4G

제조사AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술MOSFET P-CHANNEL 40V 33A ATPAK
범주이산 반도체 제품
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
아이디 @ VGS (일) (최대) 2.6V @ 1mA
Vgs (최대) ±20V
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 ATPAK
연속 -
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 25 mOhm @ 15A, 10V
전력 소비 (최대) 48W (Tc)
포장 Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
다른 이름들 NVATS5A106PLZT4G-ND
NVATS5A106PLZT4GOSTR
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임 8 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1380pF @ 20V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 29nC @ 10V
FET 유형 P-Channel
FET 특징 -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss) 40V
상세 설명 P-Channel 40V 33A (Ta) 48W (Tc) Surface Mount ATPAK
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 33A (Ta)

NVATS5A106PLZ

RFQ

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품:29373
  • 3000 pcs$0.537

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