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NVATS5A106PLZT4G

NVATS5A106PLZT4G
AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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NVATS5A106PLZT4G

fabbricanteAMI Semiconductor / ON Semiconductor
DescrizioneMOSFET P-CHANNEL 40V 33A ATPAK
CategoriaProdotti a semiconduttore discreti
Stato Lead senza piombo / RoHSSenza piombo / RoHS conforme
Vgs (th) (max) a Id 2.6V @ 1mA
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore ATPAK
Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 25 mOhm @ 15A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 48W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi NVATS5A106PLZT4G-ND
NVATS5A106PLZT4GOSTR
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 8 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1380pF @ 20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V
Tipo FET P-Channel
Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 40V
Descrizione dettagliata P-Channel 40V 33A (Ta) 48W (Tc) Surface Mount ATPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 33A (Ta)

NVATS5A106PLZ

RFQ

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

In magazzino:29373
  • 3000 pcs$0.537

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