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NVATS5A106PLZT4G

NVATS5A106PLZT4G
AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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NVATS5A106PLZT4G

HerstellerAMI Semiconductor / ON Semiconductor
BeschreibungMOSFET P-CHANNEL 40V 33A ATPAK
KategorieDiskrete Halbleiter-Produkte
Bleifreier Status / RoHS StatusBleifrei / RoHS-konform
VGS (th) (Max) @ Id 2.6V @ 1mA
Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse ATPAK
Serie -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 15A, 10V
Verlustleistung (max) 48W (Tc)
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen NVATS5A106PLZT4G-ND
NVATS5A106PLZT4GOSTR
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 8 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1380pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V
Typ FET P-Channel
FET-Merkmal -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40V
detaillierte Beschreibung P-Channel 40V 33A (Ta) 48W (Tc) Surface Mount ATPAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 33A (Ta)

NVATS5A106PLZ

RFQ

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig:29373
  • 3000 pcs$0.537

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