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NVATS5A106PLZT4G

NVATS5A106PLZT4G
AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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NVATS5A106PLZT4G

FabricantAMI Semiconductor / ON Semiconductor
La descriptionMOSFET P-CHANNEL 40V 33A ATPAK
CatégorieProduits semi-conducteurs discrets
État sans plomb / État RoHSSans plomb / conforme à la directive RoHS
Vgs (th) (Max) @ Id 2.6V @ 1mA
Vgs (Max) ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur ATPAK
Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 15A, 10V
Dissipation de puissance (max) 48W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms NVATS5A106PLZT4G-ND
NVATS5A106PLZT4GOSTR
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 8 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1380pF @ 20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V
type de FET P-Channel
Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 40V
Description détaillée P-Channel 40V 33A (Ta) 48W (Tc) Surface Mount ATPAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 33A (Ta)

NVATS5A106PLZ

RFQ

Prix de référence (en dollars américains)

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