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NVATS5A106PLZT4G

NVATS5A106PLZT4G
AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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NVATS5A106PLZT4G

FabricanteAMI Semiconductor / ON Semiconductor
DescripciónMOSFET P-CHANNEL 40V 33A ATPAK
CategoríaProductos semiconductores discretos
Estado Libre de plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
VGS (th) (Max) @Id 2.6V @ 1mA
Vgs (Max) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo ATPAK
Serie -
RDS (Max) @Id, Vgs 25 mOhm @ 15A, 10V
La disipación de energía (máximo) 48W (Tc)
embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres NVATS5A106PLZT4G-ND
NVATS5A106PLZT4GOSTR
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 8 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1380pF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 29nC @ 10V
Tipo FET P-Channel
Característica de FET -
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 40V
Descripción detallada P-Channel 40V 33A (Ta) 48W (Tc) Surface Mount ATPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 33A (Ta)

NVATS5A106PLZ

RFQ

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Existencias disponibles:29373
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