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SI3499DV-T1-GE3

SI3499DV-T1-GE3
Electro-Films (EFI) / Vishay

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SI3499DV-T1-GE3

メーカーElectro-Films (EFI) / Vishay
説明MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-TSOP
プロダクトディスクリート半導体製品
フリーステータス/ RoHS状態鉛フリー/ RoHS準拠
同上@ VGS（TH）（最大） 750mV @ 250µA
Vgs（最大） ±5V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 6-TSOP
シリーズ TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 23 mOhm @ 7A, 4.5V
電力消費（最大） 1.1W (Ta)
パッケージング Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
他の名前 SI3499DV-T1-GE3-ND
SI3499DV-T1-GE3TR
SI3499DVT1GE3
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル（MSL） 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 33 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 42nC @ 4.5V
FETタイプ P-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 1.5V, 4.5V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 8V
詳細な説明 P-Channel 8V 5.3A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 6-TSOP
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 5.3A (Ta)

SI3499DV

RFQ

参考価格（USD）

在庫あり:15550
  • 1 pcs$0.505
  • 200 pcs$0.196
  • 500 pcs$0.188
  • 1000 pcs$0.185

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