SI3499DV-T1-GE3
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SI3499DV-T1-GE3
| Hersteller | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|
| Beschreibung | MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-TSOP |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| VGS (th) (Max) @ Id | 750mV @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±5V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 6-TSOP |
| Serie | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 7A, 4.5V |
| Verlustleistung (max) | 1.1W (Ta) |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Andere Namen | SI3499DV-T1-GE3-ND SI3499DV-T1-GE3TR SI3499DVT1GE3 |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 33 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 4.5V |
| Typ FET | P-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 8V |
| detaillierte Beschreibung | P-Channel 8V 5.3A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 6-TSOP |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 5.3A (Ta) |
| RFQ | |
Referenzpreis (in US-Dollar)
- 1 pcs$0.505
- 200 pcs$0.196
- 500 pcs$0.188
- 1000 pcs$0.185
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Einführung von SI3499DV-T1-GE3
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