SI3499DV-T1-GE3
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SI3499DV-T1-GE3
| Fabricant | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|
| La description | MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-TSOP |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 750mV @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±5V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | 6-TSOP |
| Séries | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 7A, 4.5V |
| Dissipation de puissance (max) | 1.1W (Ta) |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Autres noms | SI3499DV-T1-GE3-ND SI3499DV-T1-GE3TR SI3499DVT1GE3 |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 33 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 4.5V |
| type de FET | P-Channel |
| Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 1.5V, 4.5V |
| Tension drain-source (Vdss) | 8V |
| Description détaillée | P-Channel 8V 5.3A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 6-TSOP |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 5.3A (Ta) |
| RFQ | |
Prix de référence (en dollars américains)
- 1 pcs$0.505
- 200 pcs$0.196
- 500 pcs$0.188
- 1000 pcs$0.185
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