SI3499DV-T1-GE3
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SI3499DV-T1-GE3
| Fabricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|
| Descripción | MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-TSOP |
| Categoría | Productos semiconductores discretos |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| VGS (th) (Max) @Id | 750mV @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±5V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | 6-TSOP |
| Serie | TrenchFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 23 mOhm @ 7A, 4.5V |
| La disipación de energía (máximo) | 1.1W (Ta) |
| embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Otros nombres | SI3499DV-T1-GE3-ND SI3499DV-T1-GE3TR SI3499DVT1GE3 |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 33 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 42nC @ 4.5V |
| Tipo FET | P-Channel |
| Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 8V |
| Descripción detallada | P-Channel 8V 5.3A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 6-TSOP |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 5.3A (Ta) |
| RFQ | |
Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)
- 1 pcs$0.505
- 200 pcs$0.196
- 500 pcs$0.188
- 1000 pcs$0.185
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Introducción de SI3499DV-T1-GE3
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