SI3499DV-T1-GE3
SI3499DV-T1-GE3
fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
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Descrizione | MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-TSOP |
Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti |
Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
Vgs (th) (max) a Id | 750mV @ 250µA |
Vgs (Max) | ±5V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore | 6-TSOP |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (max) a Id, Vgs | 23 mOhm @ 7A, 4.5V |
Dissipazione di potenza (max) | 1.1W (Ta) |
imballaggio | Tape & Reel (TR) |
Contenitore / involucro | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Altri nomi | SI3499DV-T1-GE3-ND SI3499DV-T1-GE3TR SI3499DVT1GE3 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produttore tempi di consegna standard | 33 Weeks |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 4.5V |
Tipo FET | P-Channel |
Caratteristica FET | - |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Tensione drain-source (Vdss) | 8V |
Descrizione dettagliata | P-Channel 8V 5.3A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 6-TSOP |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 5.3A (Ta) |
RFQ |
Prezzo di riferimento (in dollari USA)
- 1 pcs$0.505
- 200 pcs$0.196
- 500 pcs$0.188
- 1000 pcs$0.185
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