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HGTP12N60A4

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HGTP12N60A4

fabbricanteAMI Semiconductor / ON Semiconductor
DescrizioneIGBT 600V 54A 167W TO220AB
CategoriaProdotti a semiconduttore discreti
Stato Lead senza piombo / RoHSSenza piombo / RoHS conforme
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 600V
Vce (on) (max) a VGE, Ic 2.7V @ 15V, 12A
Condizione di test 390V, 12A, 10 Ohm, 15V
Td (on / off) @ 25 ° C 17ns/96ns
di scambio energetico 55µJ (on), 50µJ (off)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB
Serie -
Potenza - Max 167W
imballaggio Tube
Contenitore / involucro TO-220-3
Altri nomi HGTP12N60A4_NL
HGTP12N60A4_NL-ND
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Tipo di ingresso Standard
Tipo IGBT -
carica gate 78nC
Descrizione dettagliata IGBT 600V 54A 167W Through Hole TO-220AB
Corrente - collettore Pulsed (Icm) 96A
Corrente - collettore (Ic) (max) 54A
Numero di parte base HGTP12N60

TO220B03 Pkg Drawing

HGT(P,G)12N60A4, HGT1S12N60A4S9A

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