HGTP12N60A4
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HGTP12N60A4
Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
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Descripción | IGBT 600V 54A 167W TO220AB |
Categoría | Productos semiconductores discretos |
Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
Tensión - Colector-emisor (máx) | 600V |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 12A |
Condición de prueba | 390V, 12A, 10 Ohm, 15V |
Td (encendido / apagado) @ 25 ° C | 17ns/96ns |
Cambio de Energía | 55µJ (on), 50µJ (off) |
Paquete del dispositivo | TO-220AB |
Serie | - |
Potencia - Max | 167W |
embalaje | Tube |
Paquete / Cubierta | TO-220-3 |
Otros nombres | HGTP12N60A4_NL HGTP12N60A4_NL-ND |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Tipo de entrada | Standard |
Tipo de IGBT | - |
puerta de carga | 78nC |
Descripción detallada | IGBT 600V 54A 167W Through Hole TO-220AB |
Corriente - Colector Pulsada (ICM) | 96A |
Corriente - colector (Ic) (Max) | 54A |
Número de pieza base | HGTP12N60 |
HGT(P,G)12N60A4, HGT1S12N60A4S9A RFQ |
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