HGTP12N60A4
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HGTP12N60A4
Hersteller | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
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Beschreibung | IGBT 600V 54A 167W TO220AB |
Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 600V |
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 12A |
Testbedingung | 390V, 12A, 10 Ohm, 15V |
Td (ein / aus) bei 25 ° C | 17ns/96ns |
Schaltenergie | 55µJ (on), 50µJ (off) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-220AB |
Serie | - |
Leistung - max | 167W |
Verpackung | Tube |
Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
Andere Namen | HGTP12N60A4_NL HGTP12N60A4_NL-ND |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabetyp | Standard |
IGBT-Typ | - |
Gate-Ladung | 78nC |
detaillierte Beschreibung | IGBT 600V 54A 167W Through Hole TO-220AB |
Strom - Collector Pulsed (Icm) | 96A |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 54A |
Basisteilenummer | HGTP12N60 |
HGT(P,G)12N60A4, HGT1S12N60A4S9A RFQ |
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