HGTP12N60A4
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HGTP12N60A4
Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
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La description | IGBT 600V 54A 167W TO220AB |
Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 600V |
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 12A |
Condition de test | 390V, 12A, 10 Ohm, 15V |
Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 17ns/96ns |
énergie de commutation | 55µJ (on), 50µJ (off) |
Package composant fournisseur | TO-220AB |
Séries | - |
Puissance - Max | 167W |
Emballage | Tube |
Package / Boîte | TO-220-3 |
Autres noms | HGTP12N60A4_NL HGTP12N60A4_NL-ND |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Type d'entrée | Standard |
type de IGBT | - |
gate charge | 78nC |
Description détaillée | IGBT 600V 54A 167W Through Hole TO-220AB |
Courant - Collecteur pulsée (Icm) | 96A |
Courant - Collecteur (Ic) (max) | 54A |
Numéro de pièce de base | HGTP12N60 |
HGT(P,G)12N60A4, HGT1S12N60A4S9A RFQ |
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