MT47H512M8WTR-3:C
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MT47H512M8WTR-3:C
| Fabricante | Micron Technology |
|---|---|
| Descrição | IC DRAM 4G PARALLEL 63FBGA |
| Categoria | Circuitos integrados (ICs) |
| Status sem chumbo / Status RoHS | Sem chumbo / acordo com RoHS |
| Escrever Tempo do Ciclo - Palavra, Página | 15ns |
| Tensão - Fornecimento | 1.7 V ~ 1.9 V |
| Tecnologia | SDRAM - DDR2 |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | 63-FBGA (9x11.5) |
| Série | - |
| Embalagem | Tray |
| Caixa / Gabinete | 63-TFBGA |
| Temperatura de operação | 0°C ~ 85°C (TC) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Tipo de memória | Volatile |
| Tamanho da memória | 4Gb (512M x 8) |
| Interface de memória | Parallel |
| Formato de memória | DRAM |
| Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrição detalhada | SDRAM - DDR2 Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 333MHz 450ps 63-FBGA (9x11.5) |
| Freqüência de relógio | 333MHz |
| Número da peça base | MT47H512M8 |
| Tempo de acesso | 450ps |
| RFQ | |
Preço de referência (em dólares americanos)
- 1000 pcs$58.648
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